Name: SSM3J117TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J117TULFTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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SSM3J117TU,LF
Codice DigiKey	SSM3J117TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J117TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J117TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J117TU,LF
Descrizione	MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale UFM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J117TU,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 117mohm a 1A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 2,6V a 1mA
Serie U-MOSII	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 280 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore UFM
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore/involucro 3-SMD, conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base SSM3J117

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.42000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.45402

SSM3J117TU,LF