Name: SSM3J352F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J352FLFTR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: InStock

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SSM3J352F,LF
Codice DigiKey	SSM3J352FLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J352FLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J352FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J352F,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale S-Mini
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J352F,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	110mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	210 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	S-Mini
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	SSM3J352

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)