Name: SSM3J356R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J356RLFTR-ND
Price: 0.37835 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SSM3J356R,LF
Codice DigiKey	SSM3J356RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J356RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J356RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J356R,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J356R,LF Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.3 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) +10V, -20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 330 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-23F
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-23-3 conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base SSM3J356
RDSon (max) a Id, Vgs 300mohm a 1A, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 170’487

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)