Name: SSM3J35AFS,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35AFSLFTR-ND
Price: 0.19458 CHF
Availability: InStock

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SSM3J35AFS,LF
Codice DigiKey	SSM3J35AFSLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J35AFSLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J35AFSLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J35AFS,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale SSM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J35AFS,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 150mA, 4,5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 1V a 100µA
Serie U-MOSVII	Vgs (max) ±10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 42 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SSM
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 250mA (Ta)	Contenitore/involucro SC-75, SOT-416
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base SSM3J35

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.18000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.19458

SSM3J35AFS,LF