Name: SSM3J56ACT,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J56ACTL3FTR-ND
Price: 0.35673 CHF
Availability: InStock

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SSM3J56ACT,L3F
Codice DigiKey	SSM3J56ACTL3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J56ACTL3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J56ACTL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J56ACT,L3F
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 1,4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale CST3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J56ACT,L3F Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	390mohm a 800mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	100 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	CST3
Contenitore/involucro	SC-101, SOT-883
Codice componente base	SSM3J56

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Nastrato in bobina (TR)