SSM3K121TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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SSM3K121TU,LF
Codice DigiKey	264-SSM3K121TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3K121TU,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale UFM
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	48mohm a 2A, 4V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.9 nC @ 4 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	400 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	UFM
Contenitore/involucro	3-SMD, conduttori piatti

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