Name: SSM3K127TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K127TULFTR-ND
Price: 0.39997 CHF
Availability: InStock

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SSM3K127TU,LF
Codice DigiKey	SSM3K127TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3K127TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3K127TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3K127TU,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale UFM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3K127TU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	123mohm a 1A, 4V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.5 nC @ 4 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	123 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	UFM
Contenitore/involucro	3-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	SSM3K127

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Nastrato in bobina (TR)