Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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SSM3K357R,LF
Codice DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3K357R,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23F
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3K357R,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSV
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	650mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	3V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,8ohm a 150mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.5 nC @ 5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	60 pF @ 12 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23F
Contenitore/involucro	SOT-23-3 conduttori piatti
Codice componente base	SSM3K357

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Nastrato in bobina (TR)