Name: SSM3K62TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K62TULFTR-ND
Price: 0.46483 CHF
Availability: InStock

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SSM3K62TU,LF
Codice DigiKey	SSM3K62TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3K62TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3K62TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3K62TU,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 800mA (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale UFM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3K62TU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	800mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	57mohm a 800mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	177 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	UFM
Contenitore/involucro	3-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	SSM3K62

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Nastrato in bobina (TR)