SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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SSM4K27CTTPL3
Codice DigiKey	SSM4K27CTTPL3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM4K27CTTPL3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 500mA (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale CST4 (1,2x0,8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	500mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	205mohm a 250mA, 4V
Vgs(th) max a Id	1,1V a 1mA
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	174 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	CST4 (1,2x0,8)
Contenitore/involucro	4-SMD, senza piombo
Codice componente base	SSM4K27