Name: SSM6J502NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J502NULFTR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

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SSM6J502NU,LF
Codice DigiKey	SSM6J502NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6J502NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6J502NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6J502NU,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 6 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-UDFNB (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6J502NU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	23,1mohm a 4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1800 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-UDFNB (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base	SSM6J502

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Nastrato in bobina (TR)