Name: SSM6J771G,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J771GLFTR-ND
Price: 0.94047 CHF
Availability: InStock

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SSM6J771G,LF
Codice DigiKey	SSM6J771GLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6J771GLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6J771GLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6J771G,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 5 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6J771G,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 31mohm a 3A, 8,5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA
Serie U-MOSVI	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.8 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 870 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-UFBGA, WLCSP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 8,5V	Codice componente base SSM6J771

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.87000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.94047

SSM6J771G,LF