Name: SSM6K217FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K217FELFTR-ND
Price: 0.44321 CHF
Availability: InStock

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SSM6K217FE,LF
Codice DigiKey	SSM6K217FELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6K217FELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6K217FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6K217FE,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 1,8 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6K217FE,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.1 nC @ 4.2 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 130 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore ES6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,8 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 8V	Codice componente base SSM6K217
RDSon (max) a Id, Vgs 195mohm a 1A, 8V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.41000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.44321

SSM6K217FE,LF