Name: SSM6K809R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K809R,LFTR-ND
Price: 0.70265 CHF
Availability: InStock

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SSM6K809R,LF
Codice DigiKey	264-SSM6K809R,LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6K809R,LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6K809R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6K809R,LF
Descrizione	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 6 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 100µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.3 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 550 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore 6-TSOP-F
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-SMD, conduttori piatti
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base SSM6K809
RDSon (max) a Id, Vgs 36mohm a 5A, 10V

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Nastrato in bobina (TR)