Name: SSM6K810R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K810R,LFTR-ND
Price: 0.67022 CHF
Availability: InStock

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SSM6K810R,LF
Codice DigiKey	264-SSM6K810R,LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6K810R,LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6K810R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6K810R,LF
Descrizione	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,5 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	69mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	430 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-TSOP-F
Contenitore/involucro	6-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	SSM6K810

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Nastrato in bobina (TR)