Name: SSM6L09FUTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6L09FUTE85LFTR-ND
Price: 0.41078 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SSM6L09FUTE85LF
Codice DigiKey	SSM6L09FUTE85LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6L09FUTE85LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6L09FUTE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6L09FUTE85LF
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 400mA, 200mA 300mW A montaggio superficiale US6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	400mA, 200mA
RDSon (max) a Id, Vgs	700mohm a 200mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,8V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	20pF a 5V
Potenza - Max	300mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	US6
Codice componente base	SSM6L09

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 26’193

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Non consigliato per un nuovo progetto; possibilmente soggetto a quantità minima. Visualizza Articoli sostitutivi.

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)