Name: SSM6L39TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6L39TU,LFTR-ND
Price: 0.52969 CHF
Availability: InStock

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SSM6L39TU,LF
Codice DigiKey	264-SSM6L39TU,LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6L39TU,LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6L39TU,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6L39TU,LF
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 800mA 500mW A montaggio superficiale UF6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6L39TU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Gate livello logico, comando 1,8V
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	800mA
RDSon (max) a Id, Vgs	143mohm a 600mA, 4V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	268pF a 10V
Potenza - Max	500mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	UF6
Codice componente base	SSM6L39

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)