
SSM6N35AFE,LF | |
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Codice DigiKey | SSM6N35AFELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N35AFELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N35AFELFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N35AFE,LF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 250mA (Ta) 250mW A montaggio superficiale ES6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6N35AFE,LF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,2V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 250mA (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,1ohm a 150mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 100µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 0,34nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 36pF a 10V | |
Potenza - Max | 250mW | |
Temperatura di funzionamento | 150°C | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-563, SOT-666 | |
Contenitore del fornitore | ES6 | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.10000 | Fr. 0.10 |
10 | Fr. 0.06700 | Fr. 0.67 |
100 | Fr. 0.05630 | Fr. 5.63 |
500 | Fr. 0.05208 | Fr. 26.04 |
1’000 | Fr. 0.04872 | Fr. 48.72 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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4’000 | Fr. 0.03948 | Fr. 157.92 |
8’000 | Fr. 0.03780 | Fr. 302.40 |
12’000 | Fr. 0.03530 | Fr. 423.60 |
20’000 | Fr. 0.03500 | Fr. 700.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.10000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.10810 |