Name: SSM6N56FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N56FELMTR-ND
Price: 0.3243 CHF
Availability: InStock

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SSM6N56FE,LM
Codice DigiKey	SSM6N56FELMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N56FELMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N56FELMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N56FE,LM
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 800mA 150mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N56FE,LM Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Gate livello logico, comando 1,5V
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	800mA
RDSon (max) a Id, Vgs	235mohm a 800mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	55pF a 10V
Potenza - Max	150mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	ES6
Codice componente base	SSM6N56

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In magazzino: 18’396

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)