6-UDFN
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SSM6N58NU,LF

Codice DigiKey
SSM6N58NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SSM6N58NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
SSM6N58NU,LF
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 4A 1W A montaggio superficiale 6-UDFN (2x2)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SSM6N58NU,LF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Gate livello logico, comando 1,8V
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4A
RDSon (max) a Id, Vgs
84mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1,8nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
129pF a 15V
Potenza - Max
1W
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
6-WDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore
6-UDFN (2x2)
Codice componente base
SSM6N58
Product Questions and Answers

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In magazzino: 105’710
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.29000Fr. 0.29
10Fr. 0.21200Fr. 2.12
100Fr. 0.12730Fr. 12.73
500Fr. 0.12474Fr. 62.37
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.08650Fr. 259.50
6’000Fr. 0.08160Fr. 489.60
9’000Fr. 0.07752Fr. 697.68
15’000Fr. 0.07600Fr. 1’140.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.29000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.31349
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