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SSM6N58NU,LF | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6N58NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N58NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N58NU,LF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 4A 1W A montaggio superficiale 6-UDFN (2x2) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6N58NU,LF Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 1mA |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage | Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,8nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 129pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,8V | Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 6-UDFN (2x2) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 84mohm a 2A, 4,5V |
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In magazzino: 40’581
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.49000 | Fr. 0.49 |
| 10 | Fr. 0.30100 | Fr. 3.01 |
| 100 | Fr. 0.19240 | Fr. 19.24 |
| 500 | Fr. 0.14520 | Fr. 72.60 |
| 1’000 | Fr. 0.12996 | Fr. 129.96 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.11058 | Fr. 331.74 |
| 6’000 | Fr. 0.10081 | Fr. 604.86 |
| 9’000 | Fr. 0.09583 | Fr. 862.47 |
| 15’000 | Fr. 0.09023 | Fr. 1’353.45 |
| 21’000 | Fr. 0.08692 | Fr. 1’825.32 |
| 30’000 | Fr. 0.08370 | Fr. 2’511.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.49000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.52969 |
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