Name: SSM6N67NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N67NULFTR-ND
Price: 0.55131 CHF
Availability: InStock

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SSM6N67NU,LF
Codice DigiKey	SSM6N67NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N67NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N67NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N67NU,LF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 6-µDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N67NU,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,2nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 310pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,8V	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 6-µDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta)	Codice componente base SSM6N67
RDSon (max) a Id, Vgs 39,1mohm a 2A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)