Name: SSM6N7002BFE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N7002BFELMTR-ND
Price: 0.22701 CHF
Availability: InStock

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SSM6N7002BFE,LM
Codice DigiKey	SSM6N7002BFELMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N7002BFELMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N7002BFELMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N7002BFE,LM
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 200mA 150mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N7002BFE,LM Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200mA
RDSon (max) a Id, Vgs	2,1ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	17pF a 25V
Potenza - Max	150mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	ES6
Codice componente base	SSM6N7002

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Nastrato in bobina (TR)