Name: SSM6N7002KFU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N7002KFULFTR-ND
Price: 0.18377 CHF
Availability: InStock

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SSM6N7002KFU,LF
Codice DigiKey	SSM6N7002KFULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N7002KFULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N7002KFULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N7002KFU,LF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 300mA 285mW A montaggio superficiale US6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N7002KFU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	300mA
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,6nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	40pF a 10V
Potenza - Max	285mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	US6
Codice componente base	SSM6N7002

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Nastrato in bobina (TR)