
SSM6P35AFU,LF | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6P35AFULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6P35AFULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6P35AFULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6P35AFU,LF |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 250mA (Ta) 285mW (Ta) A montaggio superficiale US6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6P35AFU,LF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,2V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 250mA (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,4ohm a 150mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 100µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | - | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 42pF a 10V | |
Potenza - Max | 285mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Contenitore del fornitore | US6 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.23000 | Fr. 0.23 |
| 10 | Fr. 0.15600 | Fr. 1.56 |
| 100 | Fr. 0.11010 | Fr. 11.01 |
| 500 | Fr. 0.08484 | Fr. 42.42 |
| 1’000 | Fr. 0.08148 | Fr. 81.48 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.05460 | Fr. 163.80 |
| 6’000 | Fr. 0.05208 | Fr. 312.48 |
| 9’000 | Fr. 0.05000 | Fr. 450.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.23000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.24863 |

