Name: SSM6P40TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6P40TULFTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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SSM6P40TU,LF
Codice DigiKey	SSM6P40TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6P40TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6P40TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6P40TU,LF
Descrizione	MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 1,4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale UF6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6P40TU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali P (doppio)
Funzione FET	Gate livello logico, comando 4V
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,4 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	226mohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2,9nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	120pF a 15V
Potenza - Max	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	UF6
Codice componente base	SSM6P40

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)