Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

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TJ90S04M3L,LQ
Codice DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TJ90S04M3L,LQ
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 172 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) +10V, -20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7700 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 90 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore DPAK+
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 45A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63