Name: TK042N65Z5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK042N65Z5S1F(S-ND
Price: 11.96667 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 55 A (Ta) 360W (Tc) Foro passante TO-247

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TK042N65Z5,S1F
Codice DigiKey	264-TK042N65Z5S1F(S-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK042N65Z5,S1F
Descrizione	650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 55 A (Ta) 360W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSVI
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	55 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	42mohm a 27,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 2,85mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6280 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	360W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3

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30	Fr. 6.75133	Fr. 202.54
120	Fr. 5.85000	Fr. 702.00

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