Name: TK099U60Z1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK099U60Z1RQTR-ND
Price: 3.97808 CHF
Availability: InStock

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TK099U60Z1,RQ
Codice DigiKey	264-TK099U60Z1RQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK099U60Z1RQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK099U60Z1RQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK099U60Z1,RQ
Descrizione	N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 25 A (Ta) 176W (Tc) A montaggio superficiale TOLL
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 8,1A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 4V a 930µA
Serie DTMOSVI	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2050 pF @ 300 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 176W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Ta)	Contenitore del fornitore TOLL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.23561	Fr. 2’471.22
4’000	Fr. 1.20745	Fr. 4’829.80

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.68000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.97808

TK099U60Z1,RQ