
TK11P65W,RQ | |
|---|---|
Codice DigiKey | 264-TK11P65W,RQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK11P65W,RQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK11P65W,RQDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | TK11P65W,RQ |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 11,1 A (Ta) 100W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK11P65W,RQ Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 440mohm a 5,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 450µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 890 pF @ 300 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.57000 | Fr. 2.57 |
| 10 | Fr. 1.67200 | Fr. 16.72 |
| 100 | Fr. 1.16030 | Fr. 116.03 |
| 500 | Fr. 0.98532 | Fr. 492.66 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 0.80500 | Fr. 1’610.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.57000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.77817 |

