Name: TK13P25D,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK13P25D,RQTR-ND
Price: 1.49178 CHF
Availability: InStock

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TK13P25D,RQ
Codice DigiKey	264-TK13P25D,RQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK13P25D,RQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK13P25D,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK13P25D,RQ
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 13 A (Ta) 96W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 100 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 250mohm a 6,5A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.49178

TK13P25D,RQ