Name: TK14G65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14G65WRQTR-ND
Price: 3.36191 CHF
Availability: InStock

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TK14G65W,RQ
Codice DigiKey	TK14G65WRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK14G65WRQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK14G65WRQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK14G65W,RQ
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK14G65W,RQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 690µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF @ 300 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,7 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TK14G65
RDSon (max) a Id, Vgs 250mohm a 6.9A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.11000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.36191

TK14G65W,RQ