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TK14G65W5,RQ | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK14G65W5RQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TK14G65W5,RQ |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK14G65W5,RQ Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 690µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF @ 300 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 300mohm a 6,9A, 10V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA12N65X2 | IXYS | 203 | IXFA12N65X2-ND | Fr. 4.41000 | Simile |
| IXFA22N60P3 | IXYS | 0 | IXFA22N60P3-ND | Fr. 2.71507 | Simile |
| STB18N60DM2 | STMicroelectronics | 667 | 497-16339-1-ND | Fr. 2.80000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.55956 | Fr. 1’559.56 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.55956 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.68588 |
