Name: TK16J60W,S1VE
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK16J60WS1VE-ND
Price: 5.70768 CHF
Availability: InStock

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TK16J60W,S1VE
Codice DigiKey	264-TK16J60WS1VE-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK16J60W,S1VE
Descrizione	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) Foro passante TO-3P(N)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	190mohm a 7,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,7V a 790µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1350 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3P(N)
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3
Codice componente base	TK16J60

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 5.28000	Fr. 5.28
25	Fr. 3.15760	Fr. 78.94
100	Fr. 3.02620	Fr. 302.62
500	Fr. 2.25900	Fr. 1’129.50

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