TK16J60W,S1VQ è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Scheda tecnica
GT50JR22(STA1,E,S)
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TK16J60W,S1VQ

Codice DigiKey
TK16J60WS1VQ-ND
Produttore
Codice produttore
TK16J60W,S1VQ
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) Foro passante TO-3P(N)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TK16J60W,S1VQ Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
190mohm a 7,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,7V a 790µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1350 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-3P(N)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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