Name: TK190E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK190E65ZS1X-ND
Price: 3.64297 CHF
Availability: InStock

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TK190E65Z,S1X
Codice DigiKey	264-TK190E65ZS1X-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK190E65Z,S1X
Descrizione	650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 15 A (Ta) 130W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	190mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 610µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1370 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220
Contenitore/involucro	TO-220-3

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 3.37000	Fr. 3.37
50	Fr. 1.76620	Fr. 88.31
100	Fr. 1.72480	Fr. 172.48
500	Fr. 1.32108	Fr. 660.54
1’000	Fr. 1.24400	Fr. 1’244.00

Contenitore standard del produttore

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