Name: TK290P65Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK290P65YRQTR-ND
Price: 2.84303 CHF
Availability: OutOfStock

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TK290P65Y,RQ
Codice DigiKey	TK290P65YRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK290P65YRQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK290P65YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK290P65Y,RQ
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 11,5 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 450µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Serie DTMOSV	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 730 pF @ 300 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TK290P65
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 5,8A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FCD260N65S3	onsemi	4’899	488-FCD260N65S3CT-ND	Fr. 2.06000	Diretto

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.63000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.84303

TK290P65Y,RQ