Name: TK31J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31J60W5S1VQ-ND
Price: 8.70205 CHF
Availability: InStock

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TK31J60W5,S1VQ
Codice DigiKey	TK31J60W5S1VQ-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK31J60W5,S1VQ
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 30,8 A (Ta) 230W (Tc) Foro passante TO-3P(N)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK31J60W5,S1VQ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	88mohm a 15,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,7V a 1,5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3000 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3P(N)
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3
Codice componente base	TK31J60

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 8.05000	Fr. 8.05
25	Fr. 4.89000	Fr. 122.25
100	Fr. 4.13850	Fr. 413.85
500	Fr. 3.86100	Fr. 1’930.50

Contenitore standard del produttore

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