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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
TK4P55D(T6RSS-Q) | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK4P55D(T6RSS-Q)-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TK4P55D(T6RSS-Q) |
Descrizione | MOSFET N-CH 550V 4A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 550 V 4 A (Ta) 80W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK4P55D(T6RSS-Q) Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 550 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,88ohm a 2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,4V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 490 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Manufacturer Quote Required
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