


TK55S10N1,LQ | |
|---|---|
Codice DigiKey   | TK55S10N1LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK55S10N1LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®  | 
Produttore   | |
Codice produttore   | TK55S10N1,LQ  | 
Descrizione  | MOSFET N-CH 100V 55A DPAK  | 
Tempi di consegna standard del produttore   | 16 settimane  | 
Riferimento cliente   | |
Descrizione dettagliata  | Canale N 100 V 55 A (Ta) 157W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+  | 
Scheda tecnica  | Scheda tecnica | 
Modelli EDA/CAD  | TK55S10N1,LQ Modelli | 
Tipo   | Descrizione  | Seleziona tutto  | 
|---|---|---|
Categoria  | ||
Produttore  | ||
Serie  | ||
Confezionamento  | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®  | |
Stato componente  | Attivo  | |
Tipo FET  | ||
Tecnologia  | ||
Tensione drain/source (Vdss)  | 100 V  | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C  | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)  | 10V  | |
RDSon (max) a Id, Vgs  | 6,5mohm a 27,5A, 10V  | |
Vgs(th) max a Id  | 4V a 500µA  | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs  | 49 nC @ 10 V  | |
Vgs (max)  | ±20V  | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds  | 3280 pF @ 10 V  | |
Funzione FET  | -  | |
Dissipazione di potenza (max)  | 157W (Tc)  | |
Temperatura di funzionamento  | 175°C (TJ)  | |
Grado  | -  | |
Qualifica  | -  | |
Tipo di montaggio  | A montaggio superficiale  | |
Contenitore del fornitore  | DPAK+  | |
Contenitore/involucro  | ||
Codice componente base  | 
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot | 
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.90000 | Fr. 2.90 | 
| 10 | Fr. 1.91100 | Fr. 19.11 | 
| 100 | Fr. 1.33620 | Fr. 133.62 | 
| 500 | Fr. 1.17260 | Fr. 586.30 | 
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot | 
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 0.95800 | Fr. 1’916.00 | 
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.90000 | 
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.13490 | 

