


TK5P60W,RVQ | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK5P60WRVQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TK5P60W,RVQ |
Descrizione | MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 5,4 A (Ta) 60W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK5P60W,RVQ Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,7V a 270µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 380 pF @ 300 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 2,7A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK6P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 1’961 | 264-TK6P60W,RVQCT-ND | Fr. 2.13000 | Consigliato dal produttore |
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | 1’776 | IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND | Fr. 1.52000 | Simile |
| STD8N80K5 | STMicroelectronics | 3’676 | 497-13643-1-ND | Fr. 2.55000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 0.79380 | Fr. 1’587.60 |
| 4’000 | Fr. 0.74451 | Fr. 2’978.04 |
| 6’000 | Fr. 0.72837 | Fr. 4’370.22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.79380 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.85810 |

