TRS6E65C,S1AQ Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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Toshiba Semiconductor and Storage

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TRS6E65C,S1AQ
Codice DigiKey	TRS6E65CS1AQ-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TRS6E65C,S1AQ
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 6A Foro passante TO-220-2L

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	6A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.7 V @ 6 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	90 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	35pF a 650V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione	175°C (max)
Codice componente base	TRS6E65