TPH2R903PL,L1Q
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TPH2R903PL,L1Q
TPHR8504PL,L1Q

TPH12008NH,L1Q

Codice DigiKey
TPH12008NHL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
TPH12008NHL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
TPH12008NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TPH12008NH,L1Q
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 24 A (Tc) 1,6W (Ta), 48W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TPH12008NH,L1Q Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSVIII-H
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
24 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12,3mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 300µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1900 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,6W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
TPH12008
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In magazzino: 3’777
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.01000Fr. 1.01
10Fr. 0.70100Fr. 7.01
100Fr. 0.52910Fr. 52.91
500Fr. 0.41572Fr. 207.86
1’000Fr. 0.37920Fr. 379.20
2’000Fr. 0.36720Fr. 734.40
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.30581Fr. 1’529.05
10’000Fr. 0.30000Fr. 3’000.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.01000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.09181