Name: TPH2R408QM,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R408QML1QTR-ND
Price: 2.18362 CHF
Availability: InStock

Canale N 80 V 120 A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)

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TPH2R408QM,L1Q
Codice DigiKey	264-TPH2R408QML1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPH2R408QML1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPH2R408QML1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH2R408QM,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 120 A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH2R408QM,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8300 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 210W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base TPH2R408
RDSon (max) a Id, Vgs 2,43mohm a 50A, 10V