Name: TPH3R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R008QMLQTR-ND
Price: 1.92418 CHF
Availability: OutOfStock

Canale N 80 V 100 A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)

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TPH3R008QM,LQ
Codice DigiKey	264-TPH3R008QMLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPH3R008QMLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPH3R008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH3R008QM,LQ
Descrizione	80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 100 A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 50A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 3,5V a 900µA
Serie U-MOSX-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 71 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7200 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 180W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN