Name: TPH4R008NH1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH4R008NH1LQTR-ND
Price: 0.48861 CHF
Availability: OutOfStock

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TPH4R008NH1,LQ
Codice DigiKey	264-TPH4R008NH1LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH4R008NH1,LQ
Descrizione	80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 146A (Ta), 116A (Tc) 2,5W (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	146A (Ta), 116A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5300 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOP Advance (5x5,75)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

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Nastrato in bobina (TR)