Name: TPH4R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH4R008QM,LQTR-ND
Price: 1.69717 CHF
Availability: InStock

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TPH4R008QM,LQ
Codice DigiKey	264-TPH4R008QM,LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPH4R008QM,LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPH4R008QM,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH4R008QM,LQ
Descrizione	POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 86 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH4R008QM,LQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 43A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 3,5V a 600µA
Serie U-MOSIX-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 57 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5300 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 86 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5,75)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.69717

TPH4R008QM,LQ