Name: TPH4R50ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH4R50ANHL1QTR-ND
Price: 3.40515 CHF
Availability: InStock

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TPH4R50ANH,L1Q
Codice DigiKey	TPH4R50ANHL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPH4R50ANHL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPH4R50ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH4R50ANH,L1Q
Descrizione	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 60 A (Tc) 1,6W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH4R50ANH,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 58 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5200 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta), 78W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TPH4R50
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 30A, 10V

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In magazzino: 9’293

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.97472	Fr. 4’873.60

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.40515

TPH4R50ANH,L1Q