Name: TPH8R903NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R903NLLQTR-ND
Price: 1.1891 CHF
Availability: InStock

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TPH8R903NL,LQ
Codice DigiKey	TPH8R903NLLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPH8R903NLLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPH8R903NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH8R903NL,LQ
Descrizione	MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 20 A (Tc) 1,6W (Ta), 24W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH8R903NL,LQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.8 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 820 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta), 24W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TPH8R903
RDSon (max) a Id, Vgs 8,9mohm a 10A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.18910

TPH8R903NL,LQ