Name: TPHR6503PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPHR6503PLL1QTR-ND
Price: 2.51873 CHF
Availability: InStock

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TPHR6503PL,L1Q
Codice DigiKey	TPHR6503PLL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPHR6503PLL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPHR6503PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPHR6503PL,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPHR6503PL,L1Q Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 110 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10000 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 150 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base TPHR6503
RDSon (max) a Id, Vgs 0,65mohm a 50A, 10V

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In magazzino: 13’404

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.65904	Fr. 3’295.20
10’000	Fr. 0.64852	Fr. 6’485.20

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.51873

TPHR6503PL,L1Q